采用先進(jìn)的進(jìn)氣控制技術(shù),能精密控制MTS/SiCl4等的流量和壓力,爐膛內(nèi)沉積壓力穩(wěn)定,壓力波動(dòng)??;
多通道工藝氣路,配合旋轉(zhuǎn)料臺(tái),無(wú)沉積死角;
溫度場(chǎng)與氣流場(chǎng)耦合采用仿真輔助設(shè)計(jì),溫度場(chǎng)與氣流場(chǎng)的均勻性好;
多級(jí)尾氣處理系統(tǒng),能高效處理腐蝕性尾氣、固體副產(chǎn)物,環(huán)境友好;
爐殼采用耐腐蝕不銹鋼材質(zhì),熱場(chǎng)材料采用低灰分材質(zhì),嚴(yán)格把控進(jìn)氣管路材質(zhì)(選用EP級(jí)材質(zhì));
適于工藝氣氛:真空/H2/N2/Ar/MTS等。
參數(shù)\型號(hào) | HCVD-101015-SiC | HCVD-121220-SiC | VCVD-0608-SiC | VCVD-0812-SiC | VCVD-1015-SiC | VCVD-1218-SiC | VCVD-1520-SiC | VCVD-1530-SiC |
工作區(qū)尺寸 W×H×L(mm) | 1000×1000×1500 | 1200×1200×2000 | 600×800 | 800×1200 | 1000×1500 | 1200×1800 | 1500×2000 | 1500×3000 |
最高溫度(℃) | 1500 | |||||||
溫度均勻性(℃) | ±10/±15 | ±15/±20 | ±5/±7.5 | ±7.5/±10 | ±10/±15 | ±10/±15 | ±15/±20 | ±15/±20 |
極限真空度(Pa) | 1-100 | |||||||
壓升率(Pa/h) | 0.67 | |||||||
加熱方式 | 電阻 |
以上參數(shù)可根據(jù)工藝要求進(jìn)行調(diào)整,不作為驗(yàn)收依據(jù),具體以技術(shù)方案和協(xié)議為準(zhǔn)。